大手笔!台积电支出41亿美金抢先7nm制程

2016-5-15 23:27| 发布者: admin| 查看: 538| 评论: 1 |原作者: 花开逝世

晶圆代工龙头台积电在16 nm 制程上拉开与竞争对手三星(SAMSUNG)差距之后,又在10nm 制程上弯道超车英特尔(Intel),使得台积电再乘胜追击。
  台积电昨(10 )日召开的董事会上通过新台币1,332.9 亿元(约41亿美金)资本预算,准备要用于建置并扩充先进制程,以及因应车用半导体及虚拟现实所需的特殊制程,还有第3季的研发资本预算等。
  据了解,这将是为了10 nm与7 nm先进制程的先期准备。
  根据台积电供应链厂商的透露,台积电在16 nm的产能布建和先进晶圆级封装等资本台出,均已告一段落。因此为了因应竞争对手在先进制程上的开发,公司目前正全力投入建置更先进的10 nm和7 nm试产线及制程研发。
  台积电日前在美西科技术论坛中,对外宣告与安谋延续在7 nm合作。透露台积电7 nm制程已获得包括高通(Qualcomm)、苹果(Apple)等大客户台持,甚至几乎独享这两大客户订单,让台积电信心大增,加速7 nm布建。
  据了解,台积电内部将10 nm和7 nm制程视为同一发展计划,完全取决客户要导入何种制程。
  目前台积电主要客户导入7 nm比重较高,10 nm则主要承接苹果新世代A11 处理器代工订单。台积电10 nm和7 nm制程照既定计划进行,除10 nm试产良率持续提升,台积电2016 年第1 季也完成首颗7 nm制程生产静态存取记忆体(SRAM)产出,预定2018 年第1 季完成产品设计定案,主要生产据点将座落于中科。
  未来,台积电若在7 nm的芯片制程效率上掌握市场先机,将可拉开和强敌英特尔及三星差距。


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