ARM携手台积电 首款10纳米 FinFET多核芯片问世

2016-5-19 21:34| 发布者: admin| 查看: 650| 评论: 8 |原作者: bgyfdb87

全球 IP 矽智财授权厂商ARM ,19 日宣布首款采用台积电 10 纳米 FinFET 制程技术的多核心 64 位 ARM v8-A 处理器测试芯片问世。模拟基准测试结果显示,相较于目前多用于多款旗舰高端手机运算芯片的 16 纳米 FinFET+ 制程技术,此测试芯片展现更佳运算能力与功耗表现。
此款测试芯片已成功获得验证(2015 年第 4 季已完成设计定案),为 ARM 与台积电持续成功合作的重要里程碑。此一验证完备的设计方案包含了 EDA 工具、设计流程及方法,能够使新客户采用台积电最先进的 10 纳米 FinFET 制程完成设计定案。此外,亦可供 SoC 设计人员利用基础 IP (标准元件库、嵌入式内存及标准 I/O ) 开发最具竞争力的 SoC ,以达到最高效能、最低功耗及最小面积的目标。
ARM 执行副总裁暨产品事业群总经理 Pete Hutton 表示:“高端移动应用 SoC 设计的最高指导原则就是低功耗,因为现今市场对设备效能的需求日益高涨”。 Pete Hutton 进一步指出,“台积电的 16 纳米 FFLL+ 制程与 ARM Cortex 处理器已奠定低功耗的新标准。我们与台积电在 10 纳米 FinFET 制程技术的合作,可确保 在 SoC 层面上的效率,使客户在维持严苛的移动功耗标准下,同时能够有余裕发展更多的创新。”
台积电研究发展副总经理侯永清表示:“透过与 ARM 合作,使我们在制程技术与 IP 的生态系统上能快速地进展,并加速客户的产品开发周期。”侯永清进一步强调,“我们联手定义处理器技术,持续促进移动通讯市场的发展,最新的努力成果就是结合 ARM 处理器与台积电 10 纳米FinFET 技术,为各种高端移动设备及消费性电子产品的终端使用者带来崭新体验。”
此款最新的测试芯片是 ARM 与 台积电长期致力于先进制程技术的成果,植基于 2014 年 10 月宣布的首次 10 纳米 FinFET 技术合作。ARM 与 台积电共同的 IC 设计客户亦获益于提早取得 ARM Cortex-A72 处理器的 ARM Artisan 实体 IP 与 16 纳米 FinFET+ 设计定案,此款高效能处理器已获当今多款畅销高端运算设备采用。
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